Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFR9110
IRFR9110 спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = -100V, RDS(on) = 1.2 Ohm, ID = -3.1A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFR9110
IRFR9110 спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = -100V, RDS(on) = 1.2 Ohm, ID = -3.1A
Производитель : IR
Упаковка : TO-252AA
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 189 KB
Заявка : HEXFET power MOSFET. VDSS = -100V, RDS(on) = 1.2 Ohm, ID = -3.1A