Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFR120N
IRFR120N спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.21 Ohm, ID = 9.4A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFR120N
IRFR120N спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.21 Ohm, ID = 9.4A
Производитель : IR
Упаковка : TO-252AA
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 175 °C
Размер : 156 KB
Заявка : HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.21 Ohm, ID = 9.4A