Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFIBF30G
IRFIBF30G спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 900V, RDS(on) = 3.7 Ohm, ID = 1.9A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFIBF30G
IRFIBF30G спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 900V, RDS(on) = 3.7 Ohm, ID = 1.9A
Производитель : IR
Упаковка : TO-220 FULLPAK
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 183 KB
Заявка : HEXFET power MOSFET. VDSS = 900V, RDS(on) = 3.7 Ohm, ID = 1.9A