Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFI1010N
IRFI1010N спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS =55V, RDS(on) = 0.012 Ohm, ID = 49 A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFI1010N
IRFI1010N спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS =55V, RDS(on) = 0.012 Ohm, ID = 49 A
Производитель : IR
Упаковка : TO-220 FULLPAK
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 175 °C
Размер : 119 KB
Заявка : HEXFET power MOSFET. VDSS =55V, RDS(on) = 0.012 Ohm, ID = 49 A