Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFIBE30G
IRFIBE30G спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 800V, RDS(on) = 3.0 Ohm, ID = 2.1A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFIBE30G
IRFIBE30G спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 800V, RDS(on) = 3.0 Ohm, ID = 2.1A
Производитель : IR
Упаковка : TO-220 FULLPAK
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 156 KB
Заявка : HEXFET power MOSFET. VDSS = 800V, RDS(on) = 3.0 Ohm, ID = 2.1A