Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFIBC30G
IRFIBC30G спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 600V, RDS(on) = 2.2 Ohm, ID = 2.5 A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFIBC30G
IRFIBC30G спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 600V, RDS(on) = 2.2 Ohm, ID = 2.5 A
Производитель : IR
Упаковка : TO-220 FULLPAK
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 185 KB
Заявка : HEXFET power MOSFET. VDSS = 600V, RDS(on) = 2.2 Ohm, ID = 2.5 A