Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFIB6N60A
IRFIB6N60A спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 600V, RDS(on) = 0.75 Ohm, ID = 5.5 A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFIB6N60A
IRFIB6N60A спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 600V, RDS(on) = 0.75 Ohm, ID = 5.5 A
Производитель : IR
Упаковка : TO-220 FULLPAK
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 163 KB
Заявка : HEXFET power MOSFET. VDSS = 600V, RDS(on) = 0.75 Ohm, ID = 5.5 A