Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFIB5N65A
IRFIB5N65A спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 650V, RDS(on) = 0.93 Ohm, ID = 5.1 A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFIB5N65A
IRFIB5N65A спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 650V, RDS(on) = 0.93 Ohm, ID = 5.1 A
Производитель : IR
Упаковка : TO-220 FULLPAK
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 113 KB
Заявка : HEXFET power MOSFET. VDSS = 650V, RDS(on) = 0.93 Ohm, ID = 5.1 A