Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFI830G
IRFI830G спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 500V, RDS(on) = 1.5 Ohm, ID = 3.1 A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFI830G
IRFI830G спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 500V, RDS(on) = 1.5 Ohm, ID = 3.1 A
Производитель : IR
Упаковка : TO-220 FULLPAK
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 186 KB
Заявка : HEXFET power MOSFET. VDSS = 500V, RDS(on) = 1.5 Ohm, ID = 3.1 A