Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFI640G
IRFI640G спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 0.18 Ohm, ID = 9.8 A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFI640G
IRFI640G спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 0.18 Ohm, ID = 9.8 A
Производитель : IR
Упаковка : TO-220 FULLPAK
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 189 KB
Заявка : HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 0.18 Ohm, ID = 9.8 A