Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRF5Y5305CM
IRF5Y5305CM спецификации: HEXFET power MOSFET thru-hole. BVDSS = -55V, RDS(on) = 0.065 Ohm, ID = -18A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRF5Y5305CM
IRF5Y5305CM спецификации: HEXFET power MOSFET thru-hole. BVDSS = -55V, RDS(on) = 0.065 Ohm, ID = -18A
Производитель : IR
Упаковка : TO-257AA
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 118 KB
Заявка : HEXFET power MOSFET thru-hole. BVDSS = -55V, RDS(on) = 0.065 Ohm, ID = -18A