Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRF5Y3710CM
IRF5Y3710CM спецификации: HEXFET power MOSFET thru-hole. BVDSS = 100V, RDS(on) = 0.035 Ohm, ID = 18A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRF5Y3710CM
IRF5Y3710CM спецификации: HEXFET power MOSFET thru-hole. BVDSS = 100V, RDS(on) = 0.035 Ohm, ID = 18A
Производитель : IR
Упаковка : TO-257AA
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 115 KB
Заявка : HEXFET power MOSFET thru-hole. BVDSS = 100V, RDS(on) = 0.035 Ohm, ID = 18A