Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRF5M3710
IRF5M3710 спецификации: HEXFET power MOSFET thru-hole. BVDSS = 100V, RDS(on) = 0.03 Ohm, ID = 35A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRF5M3710
IRF5M3710 спецификации: HEXFET power MOSFET thru-hole. BVDSS = 100V, RDS(on) = 0.03 Ohm, ID = 35A
Производитель : IR
Упаковка : TO-254AA
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 125 KB
Заявка : HEXFET power MOSFET thru-hole. BVDSS = 100V, RDS(on) = 0.03 Ohm, ID = 35A