Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRF5804
IRF5804 спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = -40V, RDS(on) = 198 mOhm, ID = -2.5A @ VGS = -10V, RDS(on) = 334 mOhm, ID = -2.0A @ VGS = -4.5V
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRF5804
IRF5804 спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = -40V, RDS(on) = 198 mOhm, ID = -2.5A @ VGS = -10V, RDS(on) = 334 mOhm, ID = -2.0A @ VGS = -4.5V
Производитель : IR
Упаковка : TSOP
Pins : 6
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 108 KB
Заявка : HEXFET power MOSFET. VDSS = -40V, RDS(on) = 198 mOhm, ID = -2.5A @ VGS = -10V, RDS(on) = 334 mOhm, ID = -2.0A @ VGS = -4.5V