Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRF3709S
IRF3709S спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 30V, RDS(on) = 9.0 mOhm, ID = 90A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRF3709S
IRF3709S спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 30V, RDS(on) = 9.0 mOhm, ID = 90A
Производитель : IR
Упаковка : DDPak
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 133 KB
Заявка : HEXFET power MOSFET. VDSS = 30V, RDS(on) = 9.0 mOhm, ID = 90A