Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRC540
IRC540 спецификации: HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 28A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 100V. Drain-to-source on-resistance 0.077Ohm
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRC540
IRC540 спецификации: HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 28A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 100V. Drain-to-source on-resistance 0.077Ohm
Производитель : IR
Упаковка : TO-220
Pins : 5
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 175 °C
Размер : 244 KB
Заявка : HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 28A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 100V. Drain-to-source on-resistance 0.077Ohm