Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Alliance Datasheet > AS4LC1M16S1-10TC
AS4LC1M16S1-10TC спецификации: 3.3V 1M x 16 CMOS synchronous DRAM, 1/frequency - 10 ns
Аналогичные AS4LC1M16S1-10TC
- AS4LC1M16E5-50JI
- 3V 1M x 16 CM0S DRAM (EDO), 50ns RAS access time
- AS4LC1M16E5-50TC
- 3V 1M x 16 CM0S DRAM (EDO), 50ns RAS access time
- AS4LC1M16E5-50TC
- 3V 1M x 16 CM0S DRAM (EDO), 50ns RAS access time
- AS4LC1M16E5-50TI
- 3V 1M x 16 CM0S DRAM (EDO), 50ns RAS access time
- AS4LC1M16E5-50TI
- 3V 1M x 16 CM0S DRAM (EDO), 50ns RAS access time
- AS4LC1M16E5-50TI
- 3V 1M x 16 CM0S DRAM (EDO), 50ns RAS access time
- AS4LC1M16E5-60JC
- 3V 1M x 16 CM0S DRAM (EDO), 60ns RAS access time
- AS4LC1M16E5-60JI
- 3V 1M x 16 CM0S DRAM (EDO), 60ns RAS access time
AS4LC1M16S1-10TC Datasheet и спецификация
Производитель : Alliance
Упаковка : TSOPII
Pins : 50
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 70 °C
Размер : 783 KB
Заявка : 3.3V 1M x 16 CMOS synchronous DRAM, 1/frequency - 10 ns
AS4LC1M16S1-10TC Скачать PDF