Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Alliance Datasheet > AS4LC1M16E5-50TI
AS4LC1M16E5-50TI спецификации: 3V 1M x 16 CM0S DRAM (EDO), 50ns RAS access time
Аналогичные AS4LC1M16E5-50TI
- AS4LC1M16E5-50JI
- 3V 1M x 16 CM0S DRAM (EDO), 50ns RAS access time
- AS4LC1M16E5-50TC
- 3V 1M x 16 CM0S DRAM (EDO), 50ns RAS access time
- AS4LC1M16E5-50TC
- 3V 1M x 16 CM0S DRAM (EDO), 50ns RAS access time
- AS4LC1M16E5-50TI
- 3V 1M x 16 CM0S DRAM (EDO), 50ns RAS access time
- AS4LC1M16E5-50TI
- 3V 1M x 16 CM0S DRAM (EDO), 50ns RAS access time
- AS4LC1M16E5-50TI
- 3V 1M x 16 CM0S DRAM (EDO), 50ns RAS access time
- AS4LC1M16E5-60JC
- 3V 1M x 16 CM0S DRAM (EDO), 60ns RAS access time
- AS4LC1M16E5-60JI
- 3V 1M x 16 CM0S DRAM (EDO), 60ns RAS access time
AS4LC1M16E5-50TI Datasheet и спецификация
Производитель : Alliance
Упаковка : plastic TSOPII
Pins : 50
Темп. диапазон : Минимум -40 °C | Макс 85 °C
Размер : 664 KB
Заявка : 3V 1M x 16 CM0S DRAM (EDO), 50ns RAS access time
AS4LC1M16E5-50TI Скачать PDF