Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Usha Datasheet > 2SD880Y
2SD880Y спецификации: NPN silicon plastic power transistor. Designed for low frequency power amplifier. Vceo =60V, DC current gain 20 @ Ic = 3A. Pd = 30W.
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Usha Datasheet > 2SD880Y
2SD880Y спецификации: NPN silicon plastic power transistor. Designed for low frequency power amplifier. Vceo =60V, DC current gain 20 @ Ic = 3A. Pd = 30W.
Производитель : Usha
Упаковка : TO-220
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 51 KB
Заявка : NPN silicon plastic power transistor. Designed for low frequency power amplifier. Vceo =60V, DC current gain 20 @ Ic = 3A. Pd = 30W.