Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Usha Datasheet > 2SD313
2SD313 спецификации: NPN silicon plastic power transistor. Designed for low frequency power amplifier. Vceo =60V, DC current gain 40 @ Ic = 2A. Pd = 30W.
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Usha Datasheet > 2SD313
2SD313 спецификации: NPN silicon plastic power transistor. Designed for low frequency power amplifier. Vceo =60V, DC current gain 40 @ Ic = 2A. Pd = 30W.
Производитель : Usha
Упаковка : TO-220
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 50 KB
Заявка : NPN silicon plastic power transistor. Designed for low frequency power amplifier. Vceo =60V, DC current gain 40 @ Ic = 2A. Pd = 30W.