Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Transys Datasheet > BULD25DR
BULD25DR спецификации: 600 V, NPN silicon transistor with integrated diode
BULD25DR Datasheet и спецификация
Производитель : Transys
Упаковка :
Pins : 8
Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 741 KB
Заявка : 600 V, NPN silicon transistor with integrated diode
BULD25DR Скачать PDF