Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Sharp Datasheet > LH532600N
LH532600N спецификации: CMOS 2M(256K X 8/128K X 16) Mask-Programmable ROM
Аналогичные LH532600N
- LH530800AD
- CMOS 1M(128K x 8) static RAM
- LH530800AD-Y
- CMOS 1M(128K x 8)3 V-drive MROM
- LH530800AN
- CMOS 1M(128K x 8) static RAM
- LH530800AN-Y
- CMOS 1M(128K x 8)3 V-drive MROM
- LH530800AU
- CMOS 1M(128K x 8) static RAM
- LH531000BD
- LH531000BD CMOS 1M (128K x 8) Mask Programmable ROM 28-pin DIP
- LH531000BN
- LH531000BN CMOS 1M (128K x 8) Mask Programmable ROM 28-pin SOP
- LH531000BN-S
- LH531000BN-S CMOS 1M (128K x 8) Mask Programmable ROM, Low-Voltage Operation 28-pin SOP
LH532600N Datasheet и спецификация
Производитель : Sharp
Упаковка : SOP
Pins : 40
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 70 °C
Размер : 78 KB
Заявка : CMOS 2M(256K X 8/128K X 16) Mask-Programmable ROM
LH532600N Скачать PDF