Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Semelab Datasheet > IRFY430M-T257
IRFY430M-T257 спецификации: 500V Vdss N-Channel FET (field effect transistor)
Аналогичные IRFY430M-T257
- IRFY044
- 60V Vdss N-Channel FET (field effect transistor)
- IRFY120
- 100V Vdss N-Channel FET (field effect transistor)
- IRFY130
- 100V Vdss N-Channel FET (field effect transistor)
- IRFY140
- 100V Vdss N-Channel FET (field effect transistor)
- IRFY240C
- 200V Vdss N-Channel FET (field effect transistor)
- IRFY340
- 400V Vdss N-Channel FET (field effect transistor)
- IRFY430
- 500V Vdss N-Channel FET (field effect transistor)
- IRFY430M-T257
- 500V Vdss N-Channel FET (field effect transistor)
IRFY430M-T257 Datasheet и спецификация
Производитель : Semelab
Упаковка : TO257AA
Pins : 0
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C
Размер : 21 KB
Заявка : 500V Vdss N-Channel FET (field effect transistor)
IRFY430M-T257 Скачать PDF