Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Semelab Datasheet > BDS12
BDS12 спецификации: 100V Vce, 15A Ic, 3MHz NPN bipolar transistor
Аналогичные BDS12
- BDS10
- 60V Vce, 15A Ic, 3MHz NPN bipolar transistor
- BDS10SMD
- 60V Vce, 15A Ic, 3MHz NPN bipolar transistor
- BDS11
- 80V Vce, 15A Ic, 3MHz NPN bipolar transistor
- BDS11IG
- 80V Vce, 15A Ic, 3MHz NPN bipolar transistor
- BDS11SMD
- 80V Vce, 15A Ic, 3MHz NPN bipolar transistor
- BDS12
- 100V Vce, 15A Ic, 3MHz NPN bipolar transistor
- BDS12IG
- 100V Vce, 15A Ic, 3MHz NPN bipolar transistor
- BDS12SMD
- 100V Vce, 15A Ic, 3MHz NPN bipolar transistor
BDS12 Datasheet и спецификация
Производитель : Semelab
Упаковка : TO257AB(TO220M)
Pins : 0
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C
Размер : 21 KB
Заявка : 100V Vce, 15A Ic, 3MHz NPN bipolar transistor
BDS12 Скачать PDF