Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Semelab Datasheet > 2N6798
2N6798 спецификации: 200V Vdss N-Channel FET (field effect transistor)
Аналогичные 2N6798
- 2N6782
- 100V Vdss N-Channel FET (field effect transistor)
- 2N6782LCC4
- 100V Vdss N-Channel FET (field effect transistor)
- 2N6794
- 500V Vdss N-Channel FET (field effect transistor)
- 2N6796
- 100V Vdss N-Channel FET (field effect transistor)
- 2N6796LCC4
- 100V Vdss N-Channel FET (field effect transistor)
- 2N6798
- 200V Vdss N-Channel FET (field effect transistor)
2N6798 Datasheet и спецификация
Производитель : Semelab
Упаковка : TO39
Pins : 0
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C
Размер : 23 KB
Заявка : 200V Vdss N-Channel FET (field effect transistor)
2N6798 Скачать PDF