Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > ST Microelectronics Datasheet > IRF530
IRF530 спецификации: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
Аналогичные IRF530
- IRF520
- N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
- IRF520FI
- N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
- IRF520FI
- N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
- IRF530
- N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
- IRF530
- N-channel MOSFET, 100V, 14A
- IRF530F1
- N-channel MOSFET, 100V, 9A
- IRF530FI
- N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
- IRF530FP
- N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
IRF530 Datasheet и спецификация
Производитель : ST Microelectronics
Упаковка :
Pins : 0
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C
Размер : 51 KB
Заявка : N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
IRF530 Скачать PDF