Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > SANYO Datasheet > LC35V1000BM
LC35V1000BM спецификации: Asynchronous Silicon Gate 1M (131,072 words x8 bits) SRAM
Аналогичные LC35V1000BM
- LC3517A-10
- 100ns, 2048-word x 8-bit CMOS static RAM (SRAM)
- LC3517A-15
- 150ns, 2048-word x 8-bit CMOS static RAM (SRAM)
- LC3517AL-10
- 100ns, 2048-word x 8-bit CMOS static RAM (SRAM)
- LC3517AL-12
- 120ns, 2048-word x 8-bit CMOS static RAM (SRAM)
- LC3517AL-15
- 150ns, 2048-word x 8-bit CMOS static RAM (SRAM)
- LC3517AM-10
- 100ns, 2048-word x 8-bit CMOS static RAM (SRAM)
- LC3517AM-10
- 100ns, 2048-word x 8-bit CMOS static RAM (SRAM)
- LC3517AM-12
- 120ns, 2048-word x 8-bit CMOS static RAM (SRAM)
LC35V1000BM Datasheet и спецификация
Производитель : SANYO
Упаковка :
Pins : 0
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C
Размер : 195 KB
Заявка : Asynchronous Silicon Gate 1M (131,072 words x8 bits) SRAM
LC35V1000BM Скачать PDF