Аналогичные SQ201

  • SQ201
    • 8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • SQ202
    • 10 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

SQ201 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF 

Упаковка :  

Pins : 4 

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 38 KB

Заявка : 8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

SQ201 Скачать PDF