Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Polyfet RF Datasheet > SP741
SP741 спецификации: 25 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Polyfet RF Datasheet > SP741
SP741 спецификации: 25 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель : Polyfet RF
Упаковка :
Pins : 2
Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 38 KB
Заявка : 25 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor