Аналогичные SP701

  • SP701
    • 25 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • SP702
    • 40 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

SP701 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF 

Упаковка :  

Pins : 2 

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 39 KB

Заявка : 25 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

SP701 Скачать PDF