Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Polyfet RF Datasheet > SP201
SP201 спецификации: "4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Polyfet RF Datasheet > SP201
SP201 спецификации: "4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"
Производитель : Polyfet RF
Упаковка :
Pins : 2
Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 37 KB
Заявка : "4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"