Аналогичные SP201

  • SP201
    • "4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"
  • SP202
    • 8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • SP203
    • 12 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • SP204
    • 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

SP201 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF 

Упаковка :  

Pins : 2 

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 37 KB

Заявка : "4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor" 

SP201 Скачать PDF