Аналогичные SM401

  • SM401
    • 135 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • SM401
    • 135 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

SM401 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF 

Упаковка :  

Pins : 4 

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 40 KB

Заявка : 135 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

SM401 Скачать PDF