Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Polyfet RF Datasheet > SA741
SA741 спецификации: 35 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Polyfet RF Datasheet > SA741
SA741 спецификации: 35 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель : Polyfet RF
Упаковка :
Pins : 4
Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 39 KB
Заявка : 35 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor