P282 спецификации: 5 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

Аналогичные P282

P282
- 5 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

P282 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF

Упаковка : SO-8

Pins : 8

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 42 KB

Заявка : 5 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor