P281 спецификации: 2.5 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

Аналогичные P281

P281
- 2.5 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

P281 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF

Упаковка : SO-8

Pins : 8

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 41 KB

Заявка : 2.5 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor