P124 спецификации: 4 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

Аналогичные P124

P124
- 4 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

P124 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF

Упаковка : SO-8

Pins : 8

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 36 KB

Заявка : 4 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor