P123 спецификации: 2 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

Аналогичные P123

P123
- 2 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

P123 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF

Упаковка : SO-8

Pins : 8

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 41 KB

Заявка : 2 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor