P122 спецификации: "1 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"

Аналогичные P122

P122
- "1 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"

P122 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF

Упаковка : SO

Pins : 6

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 47 KB

Заявка : "1 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"