P121 спецификации: 1 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

Аналогичные P121

P121
- 1 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

P121 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF

Упаковка : SO-8

Pins : 8

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 35 KB

Заявка : 1 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor