Аналогичные LX802

  • LX802
    • 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
  • LX803
    • 45 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor

LX802 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF 

Упаковка :  

Pins : 2 

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 40 KB

Заявка : 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor 

LX802 Скачать PDF