Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Polyfet RF Datasheet > LX401
LX401 спецификации: 60 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Polyfet RF Datasheet > LX401
LX401 спецификации: 60 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Производитель : Polyfet RF
Упаковка :
Pins : 2
Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 40 KB
Заявка : 60 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor