Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Polyfet RF Datasheet > LQ821
LQ821 спецификации: 20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Аналогичные LQ821
- LQ821
- 20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LQ821 Datasheet и спецификация
Производитель : Polyfet RF
Упаковка :
Pins : 4
Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 38 KB
Заявка : 20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LQ821 Скачать PDF