Аналогичные LQ801

  • LQ801
    • 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor

LQ801 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF 

Упаковка :  

Pins : 4 

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 38 KB

Заявка : 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor 

LQ801 Скачать PDF