Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Polyfet RF Datasheet > LQ801
LQ801 спецификации: 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Polyfet RF Datasheet > LQ801
LQ801 спецификации: 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Производитель : Polyfet RF
Упаковка :
Pins : 4
Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 38 KB
Заявка : 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor