Аналогичные LP802

  • LP802
    • 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
  • LP801
    • 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor

LP802 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF 

Упаковка :  

Pins : 2 

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 38 KB

Заявка : 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor 

LP802 Скачать PDF