Аналогичные LP722

  • LP721
    • 20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
  • LP722
    • 35 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor

LP722 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF 

Упаковка :  

Pins : 2 

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 38 KB

Заявка : 35 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor 

LP722 Скачать PDF