Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Polyfet RF Datasheet > LC821
LC821 спецификации: 8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Аналогичные LC821
- LC821
- 8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LC821 Datasheet и спецификация
Производитель : Polyfet RF
Упаковка :
Pins : 6
Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 40 KB
Заявка : 8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LC821 Скачать PDF