Аналогичные LB401

  • LB401
    • 130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor

LB401 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF 

Упаковка :  

Pins : 4 

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 41 KB

Заявка : 130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor 

LB401 Скачать PDF