Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Polyfet RF Datasheet > L8821P
L8821P спецификации: 5 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Аналогичные L8821P
- L8821P
- 5 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L8821P Datasheet и спецификация
Производитель : Polyfet RF
Упаковка : SO-8
Pins : 8
Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 43 KB
Заявка : 5 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L8821P Скачать PDF