Аналогичные L8801P

  • L88016
    • 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
  • L8801P
    • 10 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor

L8801P Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF 

Упаковка : SO-8 

Pins : 8 

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 43 KB

Заявка : 10 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor 

L8801P Скачать PDF