Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Polyfet RF Datasheet > L8701P
L8701P спецификации: 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Аналогичные L8701P
- L8701P
- 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L8701P Datasheet и спецификация
Производитель : Polyfet RF
Упаковка : SO-8
Pins : 8
Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 46 KB
Заявка : 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L8701P Скачать PDF